Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем

Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и сис...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Попов, В.П., Сидоренко, В.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
СВЧ-техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51736
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51736
record_format dspace
spelling irk-123456789-517362013-12-08T03:13:24Z Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем Попов, В.П. Сидоренко, В.П. СВЧ-техника Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот от 0.5 до 11 ГГц. Розглянуто принципи побудови інтегральних схем малошумливих підсилювачів (МШП) на основі кремній-германієвих гетероперехідних біполярних транзисторів (SiGe НВТ) для надширокосмугових (НШС) систем. НШС-системи діапазону 0,5-10,6 ГГц застосовуються в галузі зв’язку, радарах медичного призначення та системах забезпечення безпеки. Запропоновані НШС МШП виконані за безіндуктивними електричними схемами або схемами з мінімальним числом індуктивностей. Проведено дослідження і розрахунки двох варіантів НШС МШП. Діапазон робочих частот — від 0,5 ГГц до 11 ГГц. This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe НВТ) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5 — 10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safety systems. The proposed UWB LNA implemented by inductorless or minimum number of inductors schemes. In this paper researched and designed two variants of UWB LNA 0,5 — 11 GHz frequency range. 2013 Article Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51736 621.382:029/64 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic СВЧ-техника
СВЧ-техника
spellingShingle СВЧ-техника
СВЧ-техника
Попов, В.П.
Сидоренко, В.П.
Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот от 0.5 до 11 ГГц.
format Article
author Попов, В.П.
Сидоренко, В.П.
author_facet Попов, В.П.
Сидоренко, В.П.
author_sort Попов, В.П.
title Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
title_short Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
title_full Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
title_fullStr Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
title_full_unstemmed Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
title_sort малошумящие усилители на основе sige-нвт для сверхширокополосных систем
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2013
topic_facet СВЧ-техника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51736
citation_txt Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT popovvp malošumâŝieusilitelinaosnovesigenvtdlâsverhširokopolosnyhsistem
AT sidorenkovp malošumâŝieusilitelinaosnovesigenvtdlâsverhširokopolosnyhsistem
first_indexed 2023-10-18T18:16:56Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:56Z
_version_ 1796143791990636544

Схожі ресурси