2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51758%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51758%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Роль пластической деформации в получении нанокремния
В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией....
Saved in:
Main Authors: | , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51758 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
irk-123456789-51758 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-517582013-12-09T03:14:21Z Роль пластической деформации в получении нанокремния Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. Функциональная микро- и наноэлектроника В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией. Показано якісний і кількісний аналіз зв'язку пластичної деформації поверхні і приповерхневої області кремнію із отриманням наноструктурованого кремнію. Показано, що в результаті високотемпературного окислення кремнію, а також ряду додаткових причин в приповерхневих шарах утворюється складна дефектна область, яка складається з шару дрібноблокового кремнію і шару, що містить дислокаційні сітки. Стравлювання діоксиду кремнію і обробка різними вибірковими протравлювачами поверхні дозволяє отримувати наноструктурованийкремній із заданою топологією. The quantity and quality analysis of plastic deformation and near-surface silicon layers with nanostructure silicon formation are given in this paper. It is shown, due to hightemperature oxidation and other factors the complex defect structure is generated in near-surface silicon layers. It consists of a disordered silicon layer and a layer of dislocation networks. Silicon dioxide etching and additional chemical treatment allows to obtain nanostructured silicon with given properties. 2011 Article Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51758 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. Роль пластической деформации в получении нанокремния Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией. |
format |
Article |
author |
Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. |
author_facet |
Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. |
author_sort |
Смынтына, В.А. |
title |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
title_short |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
title_full |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
title_fullStr |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
title_full_unstemmed |
Роль пластической деформации в получении нанокремния |
title_sort |
роль пластической деформации в получении нанокремния |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2011 |
topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51758 |
citation_txt |
Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT smyntynava rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ AT kuliničoa rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ AT âcunskijir rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ AT marčukia rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ |
first_indexed |
2023-10-18T18:16:59Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:16:59Z |
_version_ |
1796143793995513856 |