2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51758%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51758%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T14:59:32-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Роль пластической деформации в получении нанокремния

В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Смынтына, В.А., Кулинич, О.А., Яцунский, И.Р., Марчук, И.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51758
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-51758
record_format dspace
spelling irk-123456789-517582013-12-09T03:14:21Z Роль пластической деформации в получении нанокремния Смынтына, В.А. Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Марчук, И.А. Функциональная микро- и наноэлектроника В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией. Показано якісний і кількісний аналіз зв'язку пластичної деформації поверхні і приповерхневої області кремнію із отриманням наноструктурованого кремнію. Показано, що в результаті високотемпературного окислення кремнію, а також ряду додаткових причин в приповерхневих шарах утворюється складна дефектна область, яка складається з шару дрібноблокового кремнію і шару, що містить дислокаційні сітки. Стравлювання діоксиду кремнію і обробка різними вибірковими протравлювачами поверхні дозволяє отримувати наноструктурованийкремній із заданою топологією. The quantity and quality analysis of plastic deformation and near-surface silicon layers with nanostructure silicon formation are given in this paper. It is shown, due to hightemperature oxidation and other factors the complex defect structure is generated in near-surface silicon layers. It consists of a disordered silicon layer and a layer of dislocation networks. Silicon dioxide etching and additional chemical treatment allows to obtain nanostructured silicon with given properties. 2011 Article Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51758 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Смынтына, В.А.
Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р.
Марчук, И.А.
Роль пластической деформации в получении нанокремния
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный Si с заданной топологией.
format Article
author Смынтына, В.А.
Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р.
Марчук, И.А.
author_facet Смынтына, В.А.
Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р.
Марчук, И.А.
author_sort Смынтына, В.А.
title Роль пластической деформации в получении нанокремния
title_short Роль пластической деформации в получении нанокремния
title_full Роль пластической деформации в получении нанокремния
title_fullStr Роль пластической деформации в получении нанокремния
title_full_unstemmed Роль пластической деформации в получении нанокремния
title_sort роль пластической деформации в получении нанокремния
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2011
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51758
citation_txt Роль пластической деформации в получении нанокремния / В.А. Смынтына, О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 22-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT smyntynava rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ
AT kuliničoa rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ
AT âcunskijir rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ
AT marčukia rolʹplastičeskojdeformaciivpolučeniinanokremniâ
first_indexed 2023-10-18T18:16:59Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:59Z
_version_ 1796143793995513856