Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком....
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51760 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-51760 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-517602013-12-09T03:13:56Z Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств Гаврыш, В.И. Косач, А.И. Обеспечение тепловых режимов Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком. За допомогою методу, заснованого на використанні узагальнених функцій, побудовано рівняння теплопровід ності з розривними та сингулярними коефіцієнтами для ізотропної смуги їз чужорідним включенням прямокутної форми. Із застосуванням методу інтегральних перетворень отримано аналітичне розвўязання цього рівняння у випадку, коли на одній з границь смуги здійснюється конвективний теплообмін із зовнішнім середовищем, а інша границя нагрівається тепловим потоком. При цьому проведено кусково-лінійну апроксимацію шуканої температури на границях чужорідного включення з використанням узагальнених функцій. The heat equation with discontinuous and singular coefficients for isotropic band with foreign rectangular inclusion has been built with the use of generalized functions based method. Using the of integral transformftions the analytical solution of this equation has been obtained in case when on one of the band bounds the convective heat transfer with the environment takes place, but the other is under the heat flow. The piecewise-linear approximation of the required temperature at the boundaries of foreign inclusions using generalized functions has been conducted. 2011 Article Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51760 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Обеспечение тепловых режимов Обеспечение тепловых режимов |
spellingShingle |
Обеспечение тепловых режимов Обеспечение тепловых режимов Гаврыш, В.И. Косач, А.И. Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком. |
format |
Article |
author |
Гаврыш, В.И. Косач, А.И. |
author_facet |
Гаврыш, В.И. Косач, А.И. |
author_sort |
Гаврыш, В.И. |
title |
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств |
title_short |
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств |
title_full |
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств |
title_fullStr |
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств |
title_full_unstemmed |
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств |
title_sort |
моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2011 |
topic_facet |
Обеспечение тепловых режимов |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51760 |
citation_txt |
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT gavryšvi modelirovanietemperaturnyhrežimovvélementahmikroélektronnyhustrojstv AT kosačai modelirovanietemperaturnyhrežimovvélementahmikroélektronnyhustrojstv |
first_indexed |
2023-10-18T18:16:59Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:16:59Z |
_version_ |
1796143794208374784 |