Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств

Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2011
Автори: Гаврыш, В.И., Косач, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51760
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51760
record_format dspace
spelling irk-123456789-517602013-12-09T03:13:56Z Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств Гаврыш, В.И. Косач, А.И. Обеспечение тепловых режимов Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком. За допомогою методу, заснованого на використанні узагальнених функцій, побудовано рівняння теплопровід ності з розривними та сингулярними коефіцієнтами для ізотропної смуги їз чужорідним включенням прямокутної форми. Із застосуванням методу інтегральних перетворень отримано аналітичне розвўязання цього рівняння у випадку, коли на одній з границь смуги здійснюється конвективний теплообмін із зовнішнім середовищем, а інша границя нагрівається тепловим потоком. При цьому проведено кусково-лінійну апроксимацію шуканої температури на границях чужорідного включення з використанням узагальнених функцій. The heat equation with discontinuous and singular coefficients for isotropic band with foreign rectangular inclusion has been built with the use of generalized functions based method. Using the of integral transformftions the analytical solution of this equation has been obtained in case when on one of the band bounds the convective heat transfer with the environment takes place, but the other is under the heat flow. The piecewise-linear approximation of the required temperature at the boundaries of foreign inclusions using generalized functions has been conducted. 2011 Article Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51760 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Обеспечение тепловых режимов
Обеспечение тепловых режимов
spellingShingle Обеспечение тепловых режимов
Обеспечение тепловых режимов
Гаврыш, В.И.
Косач, А.И.
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Решена граничная задача теплопроводности для изотропной полосы с инородным прямоугольным включением, на одной из границ которой осуществляется конвективный теплообмен с внешней средой, а другая нагревается тепловым потоком.
format Article
author Гаврыш, В.И.
Косач, А.И.
author_facet Гаврыш, В.И.
Косач, А.И.
author_sort Гаврыш, В.И.
title Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_short Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_full Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_fullStr Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_full_unstemmed Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
title_sort моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2011
topic_facet Обеспечение тепловых режимов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51760
citation_txt Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных устройств / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT gavryšvi modelirovanietemperaturnyhrežimovvélementahmikroélektronnyhustrojstv
AT kosačai modelirovanietemperaturnyhrežimovvélementahmikroélektronnyhustrojstv
first_indexed 2023-10-18T18:16:59Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:59Z
_version_ 1796143794208374784