Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51764 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51764 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-517642013-12-09T03:14:15Z Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. Технологические процессы и оборудование Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов. Представлено результати експериментальних і теоретичних досліджень реактора для плазмово-хімічного травлення напівпровідникових матеріалів на базі ВЧ ємнісного розряду з асиметричними електродами. Отримано криві запалювання та області існування розряду для різних робочих газів (аргон, фреон, кисень). Знайдено залежності постійної напруги автозсуѕу від ВЧ-напруги, що подається на електрод. Виміряно радіальні профілі щільності струму іонів на оброблювану поверхню та їх поводження при зміні параметрів розряду для різних газів. Проведено порівняння отриманих результатів з розрахунками, виконаними з використанням двовимірної математичної моделі OOPІC. Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC selfbias potential on the RF voltage applied to the electrode have been found. The radial profiles of the ion current density to the processed surface and their behavior with the discharge parameters change are presented for various gases. The experimental data are compared to the numerical simulation results obtained using the OOPIC code. 2011 Article Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51764 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов. |
| format |
Article |
| author |
Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. |
| author_facet |
Дудин, С.В. Лисовский, В.А. Дахов, А.Н. Плетнёв, В.М. |
| author_sort |
Дудин, С.В. |
| title |
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_short |
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_full |
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_fullStr |
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_full_unstemmed |
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| title_sort |
высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51764 |
| citation_txt |
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT dudinsv vysokočastotnyjreaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov AT lisovskijva vysokočastotnyjreaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov AT dahovan vysokočastotnyjreaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov AT pletnëvvm vysokočastotnyjreaktorsasimmetričnymiélektrodamidlâplazmohimičeskogotravleniâpoluprovodnikov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:00Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:00Z |
| _version_ |
1796143794631999488 |