Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51764 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |