Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51821 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51821 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-518212013-12-12T03:11:24Z Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. Технологические процессы и оборудование Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. Запропоновано новий фізичний метод пасивації Cd1-хZnхTe детекторів - обробка поверхні кристала за допомогою лазерної абляції (ЛА) з подальшою фотостимульованою пасивацією (ФСП), при якому утворення на поверхні зразка високоомного оксидного шару відбувається після очищення його поверхні під дією інтенсивного світлового опромінення. Показано, що метод ЛА+ФСП є технологічним іѕ в порівнянні із розробленими раніше методами ФСП іѕ ФЕСП забезпечує отримання більш товстих, однорідних іѕ високоомних оксидних плівок, що істотно збільшує поверхневий електроопір зразків Cd1-хZnхTe і зменшує у них. A new physical method of Cd1-xZnxTe-detectors passivation is proposed - the treatment of crystal surface by a laser ablation (LA) with subsequent photostimulated passivation (PhSP), during wich a high-resistance oxide layer is formed on it's surface after the surface cleaning under intensive light irradiation effect. It is shown that the method of LA+PhSP is manufacturable and in comparison with PhSP and PhESP methods developed earlier provides a thick, homogeneous and high-oxide films, which significantly increases the surface resistivity of Cd1-xZnxTe samples and reduces leakage currents in them. 2011 Article Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51821 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Предложен модифицированный технологичный способ пассивации кристаллических образцов полупроводниковых твердых растворов Cd1-хZnхTe, применяемых для изготовления детекторных сенсоров рентгеновского и гамма-излучения. |
| format |
Article |
| author |
Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. |
| author_facet |
Загоруйко, Ю.А. Коваленко, Н.О. Христьян, В.А. Федоренко, О.А. Герасименко, А.С. Добротворская, М.В. Матейченко, П.В. |
| author_sort |
Загоруйко, Ю.А. |
| title |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_short |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_full |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_fullStr |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_full_unstemmed |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe |
| title_sort |
лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов cd1–хznхte |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51821 |
| citation_txt |
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe / Ю.А Загоруйко., Н.О. Коваленко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко, А.С. Герасименко, М.В. Добротворская, П.В. Матейченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 35-36. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT zagorujkoûa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT kovalenkono lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT hristʹânva lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT fedorenkooa lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT gerasimenkoas lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT dobrotvorskaâmv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte AT matejčenkopv lazernaâablâciâifotostimulirovannaâpassivaciâpoverhnostikristallovcd1hznhte |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:06Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:06Z |
| _version_ |
1796143799276142592 |