Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку

Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Рубцевич, И.И., Соловьев, Я.А., Высоцкий, В.Б., Дудкин, А.И., Ковальчук, Н.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51834
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51834
record_format dspace
spelling irk-123456789-518342013-12-12T03:11:20Z Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Высоцкий, В.Б. Дудкин, А.И. Ковальчук, Н.С. Материалы электроники Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках. Проведено дослідження залежності механічних напруг від режимів осадження плівок нітриду та оксиду кремнію, отриманих методом стимульованого плазмою хімічного осадження шарів з газової фази (PECDV). Встановлено зв'язок між ключовими параметрами осадження, такими як робочий тиск у камері, витрата робочих газів, швидкість осадження та рівень внутрішніх механічних напружень. The research has been carried out on dependence of mechanical stress on the modes of deposition of silicon nitride and oxide films obtained by plasma excited chemical vapour deposition of the layers from the gas phase (PECVD). The connection has been determined between the key parameters of the deposition, such as operating pressure in the chamber, working gas consumption, deposition rate and the level of internal mechanical stresses. 2011 Article Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51834 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Рубцевич, И.И.
Соловьев, Я.А.
Высоцкий, В.Б.
Дудкин, А.И.
Ковальчук, Н.С.
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках.
format Article
author Рубцевич, И.И.
Соловьев, Я.А.
Высоцкий, В.Б.
Дудкин, А.И.
Ковальчук, Н.С.
author_facet Рубцевич, И.И.
Соловьев, Я.А.
Высоцкий, В.Б.
Дудкин, А.И.
Ковальчук, Н.С.
author_sort Рубцевич, И.И.
title Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
title_short Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
title_full Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
title_fullStr Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
title_full_unstemmed Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
title_sort исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2011
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51834
citation_txt Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку / И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, В.Б. Высоцкий, А.И. Дудкин, Н.С. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 29-32. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT rubcevičii issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT solovʹevâa issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT vysockijvb issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT dudkinai issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
AT kovalʹčukns issledovaniesvojstvplenoknitridaioksidakremniâpolučennyhmetodomplazmohimičeskogoosaždeniânakremnievuûpodložku
first_indexed 2023-10-18T18:17:08Z
last_indexed 2023-10-18T18:17:08Z
_version_ 1796143800661311488

Схожі ресурси