Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь>
Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов....
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51835 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51835 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-518352013-12-12T03:11:50Z Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Материалы электроники Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов. На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у результаті самоорганізації формуються наноутворення наступних типів: пірамідальні включення, паралельні пластини та фрагменти, подібні фрактальної поверхні Кох. Виявлені морфологічні особливості в A₂VB₃VI<домішка>, пов'язані з формуванням міжшарів різної товщини, можуть зіграти принципову роль в аномаліях електронних властивостей. On inter layer surfaces of crystals of Bi₂Te₃<impurity> and Sb₂Te₃<impurity> as a result of self-organisation are formed nano formations of following types: the pyramidal inclusions, parallel plates and the fragments similar Koch fractal surface. The revealed morphological features in A₂VB₃VI <impurity> crystals connected with formation of interlayers of various thickness can play a basic role in anomalies of electronic properties. 2011 Article Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51835 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов. |
| format |
Article |
| author |
Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. |
| author_facet |
Алиева, А.П. Кахраманов, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. |
| author_sort |
Алиева, А.П. |
| title |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_short |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_full |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_fullStr |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_full_unstemmed |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> |
| title_sort |
особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах a₂vb₃vi <примесь> |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51835 |
| citation_txt |
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A₂VB₃VI <примесь> / А.П. Алиева, К.Ш. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT alievaap osobennostimorfologiifraktalʹnyhnanoobʺektovvkristallaha2vb3viprimesʹ AT kahramanovkš osobennostimorfologiifraktalʹnyhnanoobʺektovvkristallaha2vb3viprimesʹ AT kahramanovsš osobennostimorfologiifraktalʹnyhnanoobʺektovvkristallaha2vb3viprimesʹ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:08Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:08Z |
| _version_ |
1796143800767217664 |