Модель алмазного транзистора
Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51860 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Модель алмазного транзистора / А.А. Алтухов, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 13-19. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51860 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-518602013-12-14T03:09:46Z Модель алмазного транзистора Алтухов, А.А. Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. Функциональная микро- и наноэлектроника Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора. Розроблено модель плавного затвору, яка досить добре описує роботу польового алмазного НВЧ-транзистора. Використовуючи дану модель можна розрахувати його характеристики за електрофізичними параметрами алмазної структури з δ-легованим (воднем або бором) шаром та за геометричними параметрами елементів транзистора. Розраховані основні параметри модельного НВЧ-транзистора досить добре узгоджуються з опублікованими експериментальними результатами вимірювань реальних НВЧ-транзисторів. In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with δ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter transistor element. Proof, are calculated by us main parameters model RF-transistor, which it is enough close comply with published experimental result of the measurements real RF-transistors. 2011 Article Модель алмазного транзистора / А.А. Алтухов, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 13-19. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51860 621.382.3 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Алтухов, А.А. Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. Модель алмазного транзистора Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Модель плавного затвора позволяет рассчитать характеристики полевых алмазных СВЧ-транзисторов по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора. |
| format |
Article |
| author |
Алтухов, А.А. Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. |
| author_facet |
Алтухов, А.А. Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. |
| author_sort |
Алтухов, А.А. |
| title |
Модель алмазного транзистора |
| title_short |
Модель алмазного транзистора |
| title_full |
Модель алмазного транзистора |
| title_fullStr |
Модель алмазного транзистора |
| title_full_unstemmed |
Модель алмазного транзистора |
| title_sort |
модель алмазного транзистора |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51860 |
| citation_txt |
Модель алмазного транзистора / А.А. Алтухов, К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 13-19. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT altuhovaa modelʹalmaznogotranzistora AT zâblûkkn modelʹalmaznogotranzistora AT mitâginaû modelʹalmaznogotranzistora AT talipovnh modelʹalmaznogotranzistora AT čučevagv modelʹalmaznogotranzistora |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:12Z |
| _version_ |
1796143803404386304 |