Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51863 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr / И.И. Павлович, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 27-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51863 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-518632013-12-15T03:10:48Z Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr Павлович, И.И. Томашик, З.Ф. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Технологические процессы и оборудование Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов. Розроблено поліруючі травители і надано рекомендації щодо їх застосування для обробки напівпровідникових матеріалів, які використовуються для виготовлення робочих елементів термоелектричних приладів. The polishing etchants were developed and recommendations were given as to their use for processing of semiconductor materials which are used for the manufacture of work items of thermoelectric devices. 2011 Article Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr / И.И. Павлович, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 27-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51863 621.794.4: 546.87’24 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Павлович, И.И. Томашик, З.Ф. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов. |
| format |
Article |
| author |
Павлович, И.И. Томашик, З.Ф. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. |
| author_facet |
Павлович, И.И. Томашик, З.Ф. Томашик, В.Н. Стратийчук, И.Б. |
| author_sort |
Павлович, И.И. |
| title |
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr |
| title_short |
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr |
| title_full |
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr |
| title_fullStr |
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr |
| title_full_unstemmed |
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr |
| title_sort |
формирование полированной поверхности халькогенидов bi и sb в травильных композициях k₂cr₂o₇–hbr |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51863 |
| citation_txt |
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr / И.И. Павлович, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 27-29. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT pavlovičii formirovaniepolirovannojpoverhnostihalʹkogenidovbiisbvtravilʹnyhkompoziciâhk2cr2o7hbr AT tomašikzf formirovaniepolirovannojpoverhnostihalʹkogenidovbiisbvtravilʹnyhkompoziciâhk2cr2o7hbr AT tomašikvn formirovaniepolirovannojpoverhnostihalʹkogenidovbiisbvtravilʹnyhkompoziciâhk2cr2o7hbr AT stratijčukib formirovaniepolirovannojpoverhnostihalʹkogenidovbiisbvtravilʹnyhkompoziciâhk2cr2o7hbr |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:12Z |
| _version_ |
1796143803722104832 |