Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
Предложен новый физический метод пассивации Cd1-xZnxTe-детекторов, существенно уменьшающий поверхностные токи утечки таких детекторов.
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | Загоруйко, Ю.А., Христьян, В.А., Федоренко, О.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51912 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов / Ю.А. Загоруйко, В.А. Христьян, О.А. Федоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 56-57. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2017) -
Влияние примесей и структурных дефектов на электрофизические и детекторные свойства CdTe и CdZnTe
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2019) -
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014) -
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005) -
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)