2025-02-23T15:02:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51980%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:02:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51980%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:02:56-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:02:56-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения....
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51980 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-51980 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-519802013-12-22T03:15:22Z Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов Перевертайло, В.Л. Сенсоэлектроника Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Визначено вимоги до конструкції та технології виготов лення р-канальних та n-канальних МОП-транзисторів із тоѕстим шаром оксиду, призначених для вжитку як інтегральні дозиметри поглинутої дози іонізуючого випромінення. Розроблено технологію створення радіаційно-чутливих МОП-транзисторів з товстим шаром оксиду в р-канальному и в n-канальному вариантах. The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created. 2010 Article Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51980 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника |
| spellingShingle |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника Перевертайло, В.Л. Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. |
| format |
Article |
| author |
Перевертайло, В.Л. |
| author_facet |
Перевертайло, В.Л. |
| author_sort |
Перевертайло, В.Л. |
| title |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_short |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_full |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_fullStr |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_full_unstemmed |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов |
| title_sort |
датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе моп-транзисторов |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51980 |
| citation_txt |
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 22-29. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT perevertajlovl datčikiintegralʹnojpogloŝennojdozyioniziruûŝegoizlučeniânaosnovemoptranzistorov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:28Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:28Z |
| _version_ |
1796143815130611712 |