Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл....
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51986 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51986 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-519862013-12-23T03:12:07Z Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. Материалы электроники Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. Досліджено динаміку поверхневого опору плівок In₂O₃, термічно вирощених на підкладках InSe у двох кристалографічних площинах. Встановлено, що їх опір суттєво змінюється лише на протязі перших 5 хвилин періоду окислення. Збільшення часу окислення не впливає на його еличину, але призводить до трансформації топології поерхні. На зображеннях атомно-силової мікроскопії виявлено наноструктуризацію поверхні оксиду у вигляді наноголок. Їх латеральні та вертикальні розміри, а також їх щільність залежать від температурно-часових факторів. The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors. 2010 Article Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51986 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл. |
| format |
Article |
| author |
Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. |
| author_facet |
Катеринчук, В.Н. Ковалюк, З.Д. Хомяк, В.В. |
| author_sort |
Катеринчук, В.Н. |
| title |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_short |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_full |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_fullStr |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_full_unstemmed |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe |
| title_sort |
электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках inse |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51986 |
| citation_txt |
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT katerinčukvn élektričeskieitopologičeskiesvojstvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT kovalûkzd élektričeskieitopologičeskiesvojstvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse AT homâkvv élektričeskieitopologičeskiesvojstvaplenokoksidovtermičeskivyraŝennyhnapodložkahinse |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:29Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:29Z |
| _version_ |
1796143815771291648 |