Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля

Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2010
Автор: Ховерко, Ю.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51989
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51989
record_format dspace
spelling irk-123456789-519892013-12-23T03:11:29Z Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля Ховерко, Ю.Н. Материалы электроники Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации. Вивчено властивості рекристалізованих шарів полікремнію на ізоляторі в КНІ-структурах р-типу провідності з різною концентрацією носіїв заряду, опромінених високоенергетичними електронами з потоком частинок до 10¹⁷ см⁻² в температурному діапазоні 4,2 - 300 К та в сильних магнітних полях. Встановлено, що сильнолеговані шари полікремнію на ізоляторі проявляють радіаційну стійкість при опроміненні, а магнітоопір такого матеріалу в магнітному полі до 14 Тл не перевищує 1-2%. Ці властивості можна використовувати для створення мікроелектронних датчиків фізичних величин, працездатних в жорстких умовах експлуатації. The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 10¹⁷ cm⁻² in temperature range 4,2 - 300 K and high magnetic fields were investigated. It was found that heavily doped laser recrystallized polysilicon on insulator layers show its radiation resistance under irradiation with highenergy electrons and magnetoresistance of such material remains quite low in magnetic field about 14 T does not exceed 1-2%. Such qulity can be applied in designing of microelectronic sensors of mechanical values operable in hard conditions of exploitation. 2010 Article Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51989 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Ховерко, Ю.Н.
Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследованы свойства рекристаллизированных слоев поликремния на изоляторе р-типа проводимости, облученных высокоэнергетическими электронами, в температурном диапазоне 4,2,300 К и в сильном магнитном поле с целью создания датчиков физических величин, работоспособных в жестких условиях эксплуатации.
format Article
author Ховерко, Ю.Н.
author_facet Ховерко, Ю.Н.
author_sort Ховерко, Ю.Н.
title Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
title_short Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
title_full Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
title_fullStr Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
title_full_unstemmed Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
title_sort исследование стойкости слоев поликремния в кни-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2010
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51989
citation_txt Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 63-66. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT hoverkoûn issledovaniestojkostisloevpolikremniâvknistrukturahprivozdejstviiélektronnogooblučeniâisilʹnogomagnitnogopolâ
first_indexed 2023-10-18T18:17:29Z
last_indexed 2023-10-18T18:17:29Z
_version_ 1796143816092155904

Схожі ресурси