Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы....
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52030 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52030 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-520302013-12-23T03:12:11Z Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. Материалы электроники Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. Досліджені електричні і фотоелектричніотриманих структур показали перевагу анізотипної гетероструктури n-InS/p-InSe над її ізотипним аналогом. Проведено порівняння спектральних характеристик гетероструктур n-InS/p-InSe, отриманих при різній тривалості відпалу. Для плівки INS визначена величина міжзонних переходів, а також параметри елементарної кристалічної комірки.· InS/InSe heterostructures were created by a long-term (during 120 h) thermal processing of InSe monocrystals in sulfur vapor. Investigations of electrical and photoelectric properties of structures manufactured by this method showed essential advantage of the anysotype heterostructure n-InS/p-InSe in comparison with its isotype analog. A comparison of the spectral properties of n-InS/p-InSe heterostructures obtained at different times of annealing were performed. The quantities of interband transitions and parameters of the unit lattice cell were determined defined for the InS film. 2009 Article Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52030 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. |
| format |
Article |
| author |
Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. |
| author_facet |
Ковалюк, З.Д. Кушнир, О.И. Сидор, О.Н. Нетяга, В.В. |
| author_sort |
Ковалюк, З.Д. |
| title |
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_short |
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_full |
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_fullStr |
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_full_unstemmed |
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы |
| title_sort |
гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов inse в парах серы |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52030 |
| citation_txt |
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kovalûkzd geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT kušniroi geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT sidoron geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery AT netâgavv geterostrukturypolučennyemetodomotžigamonokristallovinsevparahsery |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:34Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:34Z |
| _version_ |
1796143819688771584 |