Квантовое ограничение закона Мура
Закон Мура точно предсказывал темпы роста мощности вычислительной техники, исходя из возрастания плотности транзисторов в кристалле интегральной схемы (ИС), начиная с 1965 г. Многие полагают, что эта тенденция будет продолжаться неопределенное время, однако законы квантовой физики могут ограничить п...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автор: | Пауэлл, Джеймс Р. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52059 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Квантовое ограничение закона Мура / Джеймс Р. Пауэлл // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 26-27. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011) -
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008) -
Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)