Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Новосядлый, С.П., Вивчарук, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52062
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-52062
record_format dspace
spelling irk-123456789-520622013-12-27T03:15:24Z Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. Технологические процессы и оборудование Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.· The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS. 2009 Article Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52062 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
spellingShingle Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
Новосядлый, С.П.
Вивчарук, В.М.
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов.
format Article
author Новосядлый, С.П.
Вивчарук, В.М.
author_facet Новосядлый, С.П.
Вивчарук, В.М.
author_sort Новосядлый, С.П.
title Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_short Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_full Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_fullStr Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_full_unstemmed Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
title_sort формирование моп-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2009
topic_facet Технологические процессы и оборудование
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52062
citation_txt Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT novosâdlyjsp formirovaniemoptranzistorovsizolâciejaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem
AT vivčarukvm formirovaniemoptranzistorovsizolâciejaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem
first_indexed 2023-10-18T18:17:38Z
last_indexed 2023-10-18T18:17:38Z
_version_ 1796143822968717312

Схожі ресурси