Акустойонні та акустоелектронні технології
The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on these devices. The...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2007
|
Назва видання: | №5 |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/523 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Акустоіонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісн. НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8. — Бібліогр.: 11 назв. — укp. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-523 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-5232008-04-24T12:00:15Z Акустойонні та акустоелектронні технології Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М. Статті та огляди The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on these devices. The approach is to use ultrasonic treatment of semi-conduct plates during implantation (acousticion technologies) and to investigate physical phenomena that occur during acoustic waves spread in anisotropic piezoelectrics (acoustic-electron technologies). Ef fectiveness and universality of acoustic-ion and acousticelectron methods which priorities are proved by patents for invention can play an important role for instrument-making industry, information technologies, machine building, as well as become the basis of such advance scientific and engineering trends as thin film technology, nanoelectronics, functional microelectronics, optoelectronics. Представлено новий підхід до розв'язання проблеми керування параметрами напівпровідникових матеріалів у межах кремнієвої технології виготовлення КМОН-приладів, а також проблеми управління характеристиками активних акустоелектронних пристроїв і створення на їх основі датчиків нового покоління. Він полягає у використанні ультразвукової обробки напівпровідникових пластин під час імплантації (акустоіонні технології) та вивченні фізичних явищ, які виникають у процесі поширення акустичних хвиль в анізотропних п'єзоелектриках (акустоелектронні технології). Ефективність та універсальність акустоіонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені патентами на винахід, можуть мати суттєве значення для розвитку приладо-інформаційних технологій і машинобудування, а також можуть бути базовими для ряду таких перспективних науково-технічних напрямів, як технологія тонких плівок, наноелектроніка, функціональна мікроелектроніка, оптоелектроніка. 2007 Article Акустоіонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісн. НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8. — Бібліогр.: 11 назв. — укp. 0372-6436 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/523 uk №5 С. 3-8 Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Ukrainian |
topic |
Статті та огляди Статті та огляди |
spellingShingle |
Статті та огляди Статті та огляди Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М. Акустойонні та акустоелектронні технології №5 |
description |
The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as
to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on
these devices. The approach is to use ultrasonic treatment of semi-conduct plates during implantation (acousticion
technologies) and to investigate physical phenomena that occur during acoustic waves spread in anisotropic piezoelectrics (acoustic-electron technologies). Ef fectiveness and universality of acoustic-ion and acousticelectron methods which priorities are proved by patents
for invention can play an important role for
instrument-making industry, information technologies, machine building, as well as become the basis of such advance scientific and engineering trends as thin film
technology, nanoelectronics, functional microelectronics, optoelectronics. |
format |
Article |
author |
Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М. |
author_facet |
Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М. |
author_sort |
Мачулін, В.Ф. |
title |
Акустойонні та акустоелектронні технології |
title_short |
Акустойонні та акустоелектронні технології |
title_full |
Акустойонні та акустоелектронні технології |
title_fullStr |
Акустойонні та акустоелектронні технології |
title_full_unstemmed |
Акустойонні та акустоелектронні технології |
title_sort |
акустойонні та акустоелектронні технології |
publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
publishDate |
2007 |
topic_facet |
Статті та огляди |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/523 |
citation_txt |
Акустоіонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісн. НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8. — Бібліогр.: 11 назв. — укp. |
series |
№5 |
work_keys_str_mv |
AT mačulínvf akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí AT lepíhâí akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí AT olíhâm akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí AT romanûkbm akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí |
first_indexed |
2023-03-24T08:19:07Z |
last_indexed |
2023-03-24T08:19:07Z |
_version_ |
1796138808265146368 |