2025-02-23T15:44:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52309%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:44:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52309%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:44:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:44:24-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52309
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд.

Similar Items