2025-02-23T16:13:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52309%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:13:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52309%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:13:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:13:57-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд....
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52309 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-52309 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-523092013-12-30T03:10:59Z Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд. Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні при помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100 мВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.· It is shown that capacitance voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring AC voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures. 2009 Article Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 25-28. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52309 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд. |
| format |
Article |
| author |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| author_facet |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| author_sort |
Горев, Н.Б. |
| title |
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_short |
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_full |
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_fullStr |
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_full_unstemmed |
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_sort |
вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах gaas |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52309 |
| citation_txt |
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 25-28. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT gorevnb volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT kodžespirovaif volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT privaloven volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas |
| first_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| _version_ |
1796143849134882816 |