Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52310 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52310 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-523102013-12-30T03:10:57Z Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. Функциональная микро- и наноэлектроника Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.· Отримано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з ва·рійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є граничне зменшення товщини варизонного шару. High efficient photodiodes on the base of p-Cu1,8S/ï-ZnS/(ZnS)x(CdSe)1-x/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region. 2009 Article Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52310 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.· |
| format |
Article |
| author |
Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. |
| author_facet |
Бобренко, Ю.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Семикина, Т.В. Атдаев, Б.С. |
| author_sort |
Бобренко, Ю.Н. |
| title |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_short |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_full |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_fullStr |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_full_unstemmed |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS |
| title_sort |
фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок zns |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52310 |
| citation_txt |
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT bobrenkoûn fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT ârošenkonv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT šeremetovagi fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT semikinatv fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns AT atdaevbs fotopriemnikiulʹtrafioletovogoizlučeniânaosnovetonkihplenokzns |
| first_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| _version_ |
1796143849240788992 |