Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда)....
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52313 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52313 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-523132013-12-30T03:10:44Z Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Технологические процессы и оборудование Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда). Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.· The correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process. 2009 Article Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52313 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда). |
| format |
Article |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. |
| author_sort |
Каримов, А.В. |
| title |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_short |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_full |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_fullStr |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_full_unstemmed |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_sort |
корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52313 |
| citation_txt |
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT ëdgorovadm korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT âkubovén korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| _version_ |
1796143849559556096 |