Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С....
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52315 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52315 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-523152013-12-30T03:10:51Z Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. Технологические процессы и оборудование Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С. Представлено результати дослідження та оптимізації процесу формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів на промисловій технологічній базі. Досліджено вольт-амперні характеристики та характеристики перемикання p-i-n-діодів в інтервалі температури 25-500°С.· The results of research and optimization of 4HSiC p-i-ndiodes mesastructures manufacturing method are presented as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p-i-n-diodes in the 25-500°C temperature range. 2009 Article Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52315 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С. |
| format |
Article |
| author |
Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. |
| author_facet |
Болтовец, Н.С. Борисенко, А.Г. Иванов, В.Н. Федорович, О.А. Кривуца, В.А. Полозов Б.П. |
| author_sort |
Болтовец, Н.С. |
| title |
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_short |
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_full |
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_fullStr |
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_full_unstemmed |
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| title_sort |
формирование мезаструктур 4нsic p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52315 |
| citation_txt |
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT boltovecns formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT borisenkoag formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT ivanovvn formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT fedorovičoa formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT krivucava formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ AT polozovbp formirovaniemezastruktur4nsicpindiodovmetodomionnoplazmennogotravleniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:18:14Z |
| _version_ |
1796143849770319872 |