Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники....
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автор: | Турцевич, А.С. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52391 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013) -
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011) -
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014) -
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Кудрик, Я.Я., та інші
Опубліковано: (2013)