Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
Показана возможность создания матричных фотоприемных устройств на алмазе. На примере линейчатых фотоприемных устройств разработаны принципы и технология построения....
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | Алтухов, А.А., Митягин, А.Ю., Клочкова, А.М., Орлова, Г.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52418 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона / А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, А.М. Клочкова, Г.А. Орлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Афанасьев, М.С., та інші
Опубліковано: (2010) -
Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
за авторством: Цибрий, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2017) -
Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
за авторством: Семёнов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009) -
Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
за авторством: Горох, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2015) -
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
за авторством: Шевчик-Шекера, А.В.
Опубліковано: (2012)