Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻²....
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52426 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52426 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-524262014-01-02T03:09:58Z Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. Функциональная микро- и наноэлектроника Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻². 2008 Article Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52426 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻². |
| format |
Article |
| author |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. |
| author_facet |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. |
| author_sort |
Горбань, А.Н. |
| title |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_short |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_full |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_fullStr |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_full_unstemmed |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_sort |
особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2008 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52426 |
| citation_txt |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT gorbanʹan osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT kravčinavv osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT gomolʹskijdm osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT solodovnikai osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:18:29Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:18:29Z |
| _version_ |
1796143860755202048 |