Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
Получены и исследованы катодолюминесцентные структуры с яркостью свечения до 1000 кд/м² на пленках толщиной 7-9 мкм, на базе которых могут быть созданы средства отображения информации с высокой разрешающей способностью....
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | Коваленко, Л.Ф., Севастьянов, В.В., Хомченко, В.С., Цыркунов, Ю.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52539 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии / Л.Ф. Коваленко, В.В. Севастьянов, В.С. Хомченко, Ю.А. Цыркунов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 48-49. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013) -
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007) -
Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017) -
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008) -
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)