Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x

Исследованы твердые растворы на основе сульфида свинца, относящиеся к классу узкощелевых полупроводников. Обнаружены аномалии в зависимости подвижности носителей заряда от концентрации примеси....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2008
Автори: Гасанов, Г.А., Мургузов, М.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52540
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x / Г.А. Гасанов, М.И. Мургузов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-52540
record_format dspace
spelling irk-123456789-525402014-01-05T03:14:34Z Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x Гасанов, Г.А. Мургузов, М.И. Материалы электроники Исследованы твердые растворы на основе сульфида свинца, относящиеся к классу узкощелевых полупроводников. Обнаружены аномалии в зависимости подвижности носителей заряда от концентрации примеси. 2008 Article Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x / Г.А. Гасанов, М.И. Мургузов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52540 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Гасанов, Г.А.
Мургузов, М.И.
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследованы твердые растворы на основе сульфида свинца, относящиеся к классу узкощелевых полупроводников. Обнаружены аномалии в зависимости подвижности носителей заряда от концентрации примеси.
format Article
author Гасанов, Г.А.
Мургузов, М.И.
author_facet Гасанов, Г.А.
Мургузов, М.И.
author_sort Гасанов, Г.А.
title Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
title_short Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
title_full Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
title_fullStr Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
title_full_unstemmed Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
title_sort температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (pbs)1–x(sm2s3)x
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2008
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52540
citation_txt Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x / Г.А. Гасанов, М.И. Мургузов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT gasanovga temperaturnyeikoncentracionnyezavisimostipodvižnostinositelejzarâdavtverdyhrastvorahpbs1xsm2s3x
AT murguzovmi temperaturnyeikoncentracionnyezavisimostipodvižnostinositelejzarâdavtverdyhrastvorahpbs1xsm2s3x
first_indexed 2023-10-18T18:18:45Z
last_indexed 2023-10-18T18:18:45Z
_version_ 1796143872665976832