Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
На основании проведенных исследований был спроектирован фотошаблон для отработки режимов фотолитографии и дальнейшего изучения влияния эффектов оптической близости....
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52809 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем / И.А. Родионов, В.В. Макарчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 30-32. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | На основании проведенных исследований был спроектирован фотошаблон для отработки режимов фотолитографии и дальнейшего изучения влияния эффектов оптической близости. |
|---|