Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs

Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Мелебаев, Д., Мелебаева, Г.Д., Рудь, Ю.В., Рудь, В.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-52810
record_format dspace
spelling irk-123456789-528102014-01-08T03:10:56Z Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. Функциональная микро- и наноэлектроника Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью. 2007 Article Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Мелебаев, Д.
Мелебаева, Г.Д.
Рудь, Ю.В.
Рудь, В.Ю.
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.
format Article
author Мелебаев, Д.
Мелебаева, Г.Д.
Рудь, Ю.В.
Рудь, В.Ю.
author_facet Мелебаев, Д.
Мелебаева, Г.Д.
Рудь, Ю.В.
Рудь, В.Ю.
author_sort Мелебаев, Д.
title Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
title_short Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
title_full Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
title_fullStr Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
title_full_unstemmed Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
title_sort новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах au–n-gaas
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2007
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810
citation_txt Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT melebaevd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas
AT melebaevagd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas
AT rudʹûv novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas
AT rudʹvû novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas
first_indexed 2023-10-18T18:19:24Z
last_indexed 2023-10-18T18:19:24Z
_version_ 1796143900478406656