Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью....
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-52810 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-528102014-01-08T03:10:56Z Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. Функциональная микро- и наноэлектроника Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью. 2007 Article Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью. |
format |
Article |
author |
Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. |
author_facet |
Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. |
author_sort |
Мелебаев, Д. |
title |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
title_short |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
title_full |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
title_fullStr |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
title_full_unstemmed |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
title_sort |
новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах au–n-gaas |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2007 |
topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810 |
citation_txt |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT melebaevd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT melebaevagd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudʹûv novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudʹvû novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas |
first_indexed |
2023-10-18T18:19:24Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:19:24Z |
_version_ |
1796143900478406656 |