Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
На основе нанокристаллических пленок кубического политипа карбида кремния, полученных прямым ионным осаждением на подложке из лейкосапфира, разработан интерференционный датчик температуры....
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52827 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC / А.В. Лопин, А.В. Семёнов, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 19-22. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |