Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
Изготовлены и исследованы планарные алмазные «солнечно-слепые» фотоприемники УФ-диапазона. Приведено теоретическое обоснование принципов работы и экспериментальные параметры фотоприемников в фоторезистивном и фотодиодном режимах....
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | Алтухов, А.А., Митягин, А.Ю., Горохов, Е.В., Фещенко, В.С., Талипов, Н.Х. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52829 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона / А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, Е.В. Горохов, В.С. Фещенко, Н.Х. Талипов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 29-31. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009) -
Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011) -
Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
за авторством: Коган, Л.М.
Опубліковано: (2012) -
Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
за авторством: Белоус, А.И., та інші
Опубліковано: (2008) -
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)