Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52876 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |