Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
Рассмотрены технология комплементарных МОП-схем и технология приборов с зарядовой связью на базе стандартной технологии n-канальных МОП-структур. Приведены параметры схем считывания, изготовленных по этим технологиям....
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52877 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов / В.П. Рева, С.В. Коринец, Л.А. Писаренко, С.Е. Духнин, Н.А. Барсукова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 46-49. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |