2025-02-23T00:52:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52885%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:52:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52885%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:52:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T00:52:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Электронные средства: исследования, разработки
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52885
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-52885
record_format dspace
spelling irk-123456789-528852014-01-09T03:08:05Z Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Электронные средства: исследования, разработки Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям. 2007 Article Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52885 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронные средства: исследования, разработки
Электронные средства: исследования, разработки
spellingShingle Электронные средства: исследования, разработки
Электронные средства: исследования, разработки
Горев, Н.Б.
Коджеспирова, И.Ф.
Привалов, Е.Н.
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.
format Article
author Горев, Н.Б.
Коджеспирова, И.Ф.
Привалов, Е.Н.
author_facet Горев, Н.Б.
Коджеспирова, И.Ф.
Привалов, Е.Н.
author_sort Горев, Н.Б.
title Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_short Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_full Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_fullStr Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_full_unstemmed Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_sort прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером шоттки на gaas
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2007
topic_facet Электронные средства: исследования, разработки
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52885
citation_txt Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT gorevnb prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas
AT kodžespirovaif prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas
AT privaloven prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas
first_indexed 2023-10-18T18:19:34Z
last_indexed 2023-10-18T18:19:34Z
_version_ 1796143908400398336

Similar Items