2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52969%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52969%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод

Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Добровольский, Ю.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-52969
record_format dspace
spelling irk-123456789-529692014-01-15T03:09:50Z Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Добровольский, Ю.Г. Функциональная микро- и наноэлектроника Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. 2006 Article Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Добровольский, Ю.Г.
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур.
format Article
author Добровольский, Ю.Г.
author_facet Добровольский, Ю.Г.
author_sort Добровольский, Ю.Г.
title Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
title_short Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
title_full Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
title_fullStr Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
title_full_unstemmed Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
title_sort кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2006
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969
citation_txt Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT dobrovolʹskijûg kremnievyjtermostatirovannyjpinfotodiod
first_indexed 2023-10-18T18:19:44Z
last_indexed 2023-10-18T18:19:44Z
_version_ 1796143916428296192