2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52969%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52969%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T19:10:08-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур....
Saved in:
Main Author: | |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
irk-123456789-52969 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-529692014-01-15T03:09:50Z Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Добровольский, Ю.Г. Функциональная микро- и наноэлектроника Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. 2006 Article Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Добровольский, Ю.Г. Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. |
format |
Article |
author |
Добровольский, Ю.Г. |
author_facet |
Добровольский, Ю.Г. |
author_sort |
Добровольский, Ю.Г. |
title |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
title_short |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
title_full |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
title_fullStr |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
title_full_unstemmed |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
title_sort |
кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2006 |
topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969 |
citation_txt |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT dobrovolʹskijûg kremnievyjtermostatirovannyjpinfotodiod |
first_indexed |
2023-10-18T18:19:44Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:19:44Z |
_version_ |
1796143916428296192 |