Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур....
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52969 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-529692014-01-15T03:09:50Z Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Добровольский, Ю.Г. Функциональная микро- и наноэлектроника Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. 2006 Article Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Добровольский, Ю.Г. Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. |
| format |
Article |
| author |
Добровольский, Ю.Г. |
| author_facet |
Добровольский, Ю.Г. |
| author_sort |
Добровольский, Ю.Г. |
| title |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_short |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_full |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_fullStr |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_full_unstemmed |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_sort |
кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2006 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52969 |
| citation_txt |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT dobrovolʹskijûg kremnievyjtermostatirovannyjpinfotodiod |
| first_indexed |
2023-10-18T18:19:44Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:19:44Z |
| _version_ |
1796143916428296192 |