2025-02-23T13:37:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53248%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:37:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53248%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:37:24-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:37:24-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53248 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Be the first to leave a comment!