Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн

• Дата: 2006
• Автори: Иванов, В.Н., Ковтонюк, В.М., Николаенко, Ю.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Техника и технологии СВЧ
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53248
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.