Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53397 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-533972014-01-20T03:13:59Z Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе Джафарова, Э.А. Функциональная микро- и наноэлектроника Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры. 2006 Article Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Джафарова, Э.А. Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры. |
| format |
Article |
| author |
Джафарова, Э.А. |
| author_facet |
Джафарова, Э.А. |
| author_sort |
Джафарова, Э.А. |
| title |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_short |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_full |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_fullStr |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_full_unstemmed |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| title_sort |
нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2006 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397 |
| citation_txt |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT džafarovaéa nestacionarnyeélektronnyeprocessyvbarʹernyhstrukturahipriborynaihosnove |
| first_indexed |
2023-10-18T18:20:44Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:20:44Z |
| _version_ |
1796143961284280320 |