Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2006
• Автори: Белянин, А.Ф., Кривченко, В.А., Лопаев, Д.В., Павлушкин, Л.В., Пащенко, П.В., Пирогов, В.Г., Поляков, С.Н., Суетин, Н.В., Сушенцов, Н.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53399
• Цитувати: Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики / А.Ф. Белянин, В.А. Кривченко, Д.В. Лопаев, Л.В. Павлушкин, П.В. Пащенко, В.Г. Пирогов, С.Н. Поляков, Н.В. Суетин, Н.И. Сушенцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 48-55. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Пленки ZnO получены методом магнетронного ВЧ-распыления. Применялось дополнительное магнитное поле, создаваемое магнитной системой, помещенной за подложкодержателем....