Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
На основе выращенных пленок железоиттриевого граната разработаны СВЧ полосно-пропускающие фильтры, линии задержки для использования в СВЧ-электронике.
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Ющук, С.И., Юрьев, С.А., Костюк, П.С., Бондар, В.И. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53569 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике / С.И. Ющук, С.А. Юрьев, П.С. Костюк, В.И. Бондар // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 22-25. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004) -
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002) -
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001) -
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001) -
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)