Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона....
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53606 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-536062014-01-26T03:09:20Z Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. Функциональная микро- и наноэлектроника Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона. 2005 Article Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона. |
| format |
Article |
| author |
Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| author_facet |
Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| author_sort |
Войцеховский, А.В. |
| title |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_short |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_fullStr |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full_unstemmed |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_sort |
емкостные свойства мдп-структур hgcdte/sio₂/si₃n₄ |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2005 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606 |
| citation_txt |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT vojcehovskijav emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickijna emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 |
| first_indexed |
2023-10-18T18:21:05Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:21:05Z |
| _version_ |
1796143977059057664 |