Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2005
Автори:	Ануфриев, Л.П., Баранов, В.В., Соловьев, Я.А., Тарасиков, М.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53610
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Опис
Резюме:	Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.