2025-02-23T11:03:17-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53612%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:03:17-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53612%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:03:17-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T11:03:17-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Способ электродугового восстановления кремния
Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %.
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53612 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-53612 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-536122014-01-26T03:09:57Z Способ электродугового восстановления кремния Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. Материалы электроники Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %. 2005 Article Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53612 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. Способ электродугового восстановления кремния Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %. |
| format |
Article |
| author |
Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. |
| author_facet |
Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. |
| author_sort |
Соловьев, О.В. |
| title |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_short |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_full |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_fullStr |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_full_unstemmed |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_sort |
способ электродугового восстановления кремния |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2005 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53612 |
| citation_txt |
Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT solovʹevov sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ AT masenkobp sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ AT hlopenovaia sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:21:06Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:21:06Z |
| _version_ |
1796143977693446144 |