Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"
Гомогенность порошков исходных материалов позволяет получить резистивные элементы с воспроизводимыми электрофизическими параметрами и высокой прочностью сцепления с подложкой....
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Курмашев, Ш.Д., Садова, Н.Н., Лавренова, Т.И., Бугаева Т.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53613 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло" / Ш.Д. Курмашев, Н.Н. Садова, Т.И. Лавренова, Т.Н. Бугаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 62-64. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
за авторством: Смирнов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2005) -
Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели
за авторством: Гадзаман, И.В., та інші
Опубліковано: (2005) -
Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002) -
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2014) -
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)