Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
Впервые предложен нейросетевой алгоритм обработки экспериментальных данных, что позволило повысить точность аппроксимации до 1,5 мК в диапазоне температур 4,2—357 К....
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53625 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора / Ю.М. Шварц, П.А. Яганов, В.Г. Дзюба // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 18-22. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Впервые предложен нейросетевой алгоритм обработки экспериментальных данных, что позволило повысить точность аппроксимации до 1,5 мК в диапазоне температур 4,2—357 К. |
|---|