Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
Показаны возможности повышения технологичности МОП-транзисторов, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов....
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53630 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами / В.В. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!