2025-02-23T13:45:07-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53631%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:45:07-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53631%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:45:07-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:45:07-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур

Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Политанская, О.А., Сидор, О.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53631
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.

Similar Items