Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53631 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53631 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-536312014-01-26T03:09:47Z Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. Технологические процессы и оборудование Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости. 2005 Article Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53631 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
| spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости. |
| format |
Article |
| author |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. |
| author_facet |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. |
| author_sort |
Ковалюк, З.Д. |
| title |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_short |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_full |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_fullStr |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_full_unstemmed |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур |
| title_sort |
влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры inse-гетероструктур |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2005 |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53631 |
| citation_txt |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kovalûkzd vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT katerinčukvn vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT politanskaâoa vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur AT sidoron vliâniegammaoblučeniânafotoélektričeskieparametryinsegeterostruktur |
| first_indexed |
2023-10-18T18:21:09Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:21:09Z |
| _version_ |
1796143979694129152 |