Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
Экспериментальное моделирование аппаратно-программного обеспечения показало достаточную надежность работы системы и значительное уменьшение трудоемкости контроля и управления параметрами технологического процесса....
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | Рогов, Р.В., Мельничук, С.В., Воробец, Г.И. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53633 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок / Р.В. Рогов, С.В. Мельничук, Г.И. Воробец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007) -
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005) -
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014) -
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014) -
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)