2025-02-23T23:00:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53682%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:00:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-53682%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T23:00:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T23:00:36-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов

Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Григорьянц, В.В., Долгов, А.П., Кочмарёв, Л.Ю., Шилов, И.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-53682
record_format dspace
spelling irk-123456789-536822014-01-26T03:11:16Z СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов Григорьянц, В.В. Долгов, А.П. Кочмарёв, Л.Ю. Шилов, И.П. Технологические процессы и оборудование Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда. 2005 Article СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
spellingShingle Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
Григорьянц, В.В.
Долгов, А.П.
Кочмарёв, Л.Ю.
Шилов, И.П.
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда.
format Article
author Григорьянц, В.В.
Долгов, А.П.
Кочмарёв, Л.Ю.
Шилов, И.П.
author_facet Григорьянц, В.В.
Долгов, А.П.
Кочмарёв, Л.Ю.
Шилов, И.П.
author_sort Григорьянц, В.В.
title СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_short СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_full СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_fullStr СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_full_unstemmed СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_sort свч плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2005
topic_facet Технологические процессы и оборудование
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682
citation_txt СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT grigorʹâncvv svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
AT dolgovap svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
AT kočmarëvlû svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
AT šilovip svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
first_indexed 2023-10-18T18:21:17Z
last_indexed 2023-10-18T18:21:17Z
_version_ 1796143985094295552