СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов

Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2005
Автори: Григорьянц, В.В., Долгов, А.П., Кочмарёв, Л.Ю., Шилов, И.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-53682
record_format dspace
spelling irk-123456789-536822014-01-26T03:11:16Z СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов Григорьянц, В.В. Долгов, А.П. Кочмарёв, Л.Ю. Шилов, И.П. Технологические процессы и оборудование Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда. 2005 Article СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
spellingShingle Технологические процессы и оборудование
Технологические процессы и оборудование
Григорьянц, В.В.
Долгов, А.П.
Кочмарёв, Л.Ю.
Шилов, И.П.
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда.
format Article
author Григорьянц, В.В.
Долгов, А.П.
Кочмарёв, Л.Ю.
Шилов, И.П.
author_facet Григорьянц, В.В.
Долгов, А.П.
Кочмарёв, Л.Ю.
Шилов, И.П.
author_sort Григорьянц, В.В.
title СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_short СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_full СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_fullStr СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_full_unstemmed СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
title_sort свч плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2005
topic_facet Технологические процессы и оборудование
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682
citation_txt СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT grigorʹâncvv svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
AT dolgovap svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
AT kočmarëvlû svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
AT šilovip svčplazmohimičeskoeosaždeniestrukturdlâvysokoaperturnyhplanarnyhoptičeskihvolnovodov
first_indexed 2023-10-18T18:21:17Z
last_indexed 2023-10-18T18:21:17Z
_version_ 1796143985094295552

Схожі ресурси